米国と日本が協力して2Nmの半導体を構築

柿田浩一経済産業大臣が5月2日に渡米しました。 ハキユダ氏は、米国商務長官のジーナ・レイモンド氏と会談した後、半導体に関する二国間協力を発表する予定です。 彼らは、最先端の製品における両国の協力と、ポスト2NM技術およびIntelのチップレット技術と大量生産の実用化を発表することが期待されています。

日本は、国内の半導体生産を増やすために熊本県にTSMCプラントを誘致しましたが、大量生産された半導体は10〜20ナノメートルの範囲であり、ハイテク製品ではありません。 したがって、一部の日本の専門家は、日本が半導体製造の競争力を獲得するために異なる戦略を必要としていることを強調している。

サムスンとDSMCは、2025年に量産を開始するための2nmプロセスを開発しています。 Intelは2024年にまさにそれを行うことを目指しています。